DDR4與DDR3內(nèi)存的區(qū)別

　　如今DDR4已經(jīng)欲勢待發(fā)，只是在等待相應的主板與CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比較重要的改進呢?下面學習啦小編就為大家詳細介紹一下吧，歡迎大家參考和學習。

　　DDR4內(nèi)存條的特點：

　　1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀

　　2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz

　　3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB

　　4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低

　　很多電腦用戶可能對于內(nèi)存的內(nèi)在改進不會有太多的關(guān)注，而外在的變化更容易被人發(fā)現(xiàn)，一直一來，內(nèi)存的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，內(nèi)存的金手指發(fā)生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。

　　在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。

　　其次，DDR4內(nèi)存的金手指本身設(shè)計有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm，筆記本電腦內(nèi)存上使用的SO-DIMM DDR4內(nèi)存有256個觸點，SO-DIMM DDR3有204個觸點，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。

　　第三，標準尺寸的DDR4內(nèi)存在PCB、長度和高度上，也做出了一定調(diào)整。由于DDR4芯片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數(shù)相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化，如上圖。

　　頻率和帶寬提升巨大

　　DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。在DDR在發(fā)展的過程中，一直都以增加數(shù)據(jù)預取值為主要的性能提升手段。但到了DDR4時代，數(shù)據(jù)預取的增加變得更為困難，所以推出了Bank Group的設(shè)計。

　　Bank Group架構(gòu)又是怎樣的情況?具體來說就是每個Bank Group可以獨立讀寫數(shù)據(jù)，這樣一來內(nèi)部的數(shù)據(jù)吞吐量大幅度提升，可以同時讀取大量的數(shù)據(jù)，內(nèi)存的等效頻率在這種設(shè)置下也得到巨大的提升。DDR4架構(gòu)上采用了8n預取的Bank Group分組，包括使用兩個或者四個可選擇的Bank Group分組，這將使得DDR4內(nèi)存的每個Bank Group分組都有獨立的激活、讀取、寫入和刷新操作，從而改進內(nèi)存的整體效率和帶寬。如此一來如果內(nèi)存內(nèi)部設(shè)計了兩個獨立的Bank Group，相當于每次操作16bit的數(shù)據(jù)，變相地將內(nèi)存預取值提高到了16n，如果是四個獨立的Bank Group，則變相的預取值提高到了32n。

　　如果說Bank Group是DDR 4內(nèi)存帶寬提升的關(guān)鍵技術(shù)的話，那么點對點總線則是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計，對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機制已經(jīng)改為了點對點技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計。

　　在DDR3內(nèi)存上，內(nèi)存和內(nèi)存控制器之間的連接采用是通過多點分支總線來實現(xiàn)。這種總線允許在一個接口上掛接許多同樣規(guī)格的芯片。我們都知道目前主板上往往為雙通道設(shè)計四根內(nèi)存插槽，但每個通道在物理結(jié)構(gòu)上只允許擴展更大容量。這種設(shè)計的特點就是當數(shù)據(jù)傳輸量一旦超過通道的承載能力，無論你怎么增加內(nèi)存容量，性能都不見的提升多少。這種設(shè)計就好比在一條主管道可以有多個注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管來提升容量，但總的送水率并沒有提升。因此在這種情況下可能2GB增加到4GB你會感覺性能提升明顯，但是再繼續(xù)盲目增加容量并沒有什么意義了，所以多點分支總線的好處是擴展內(nèi)存更容易，但卻浪費了內(nèi)存的位寬。

　　因此，DDR4拋棄了這樣的設(shè)計，轉(zhuǎn)而采用點對點總線：內(nèi)存控制器每通道只能支持唯一的一根內(nèi)存。相比多點分支總線，點對點相當于一條主管道只對應一個注水管，這樣設(shè)計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計、更容易達到更高的頻率。不過，點對點設(shè)計的問題也同樣明顯：一個重要因素是點對點總線每通道只能支持一根內(nèi)存，因此如果DDR4內(nèi)存單條容量不足的話，將很難有效提升系統(tǒng)的內(nèi)存總量。當然，這難不道開發(fā)者，3DS封裝技術(shù)就是擴增DDR4容量的關(guān)鍵技術(shù)。

　　容量劇增 最高可達128GB

　　3DS(3-Dimensional Stack，三維堆疊)技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。

　　3DS技術(shù)最初由美光提出的,它類似于傳統(tǒng)的堆疊封裝技術(shù)，比如手機芯片中的處理器和存儲器很多都采用堆疊焊接在主板上以減少體積—堆疊焊接和堆疊封裝的差別在于，一個在芯片封裝完成后、在PCB板上堆疊;另一個是在芯片封裝之前，在芯片內(nèi)部堆疊。一般來說，在散熱和工藝允許的情況下，堆疊封裝能夠大大降低芯片面積，對產(chǎn)品的小型化是非常有幫助的。在DDR4上，堆疊封裝主要用TSV硅穿孔的形式來實現(xiàn)。

　　所謂硅穿孔，就用激光或蝕刻方式在硅片上鉆出小孔，然后填入金屬聯(lián)通孔洞，這樣經(jīng)過硅穿孔的不同硅片之間的信號可以互相傳輸。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB(單顆芯片512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。

　　更低功耗 更低電壓

　　更低的電壓：這是每一代DDR進化的必備要素，DDR4已經(jīng)降至1.2V

　　首先來看功耗方面的內(nèi)容。DDR4內(nèi)存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，溫度補償自刷新，主要用于降低存儲芯片在自刷新時消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，溫度補償自動刷新，和T CSE類似)、DBI(Data Bus Inversion，數(shù)據(jù)總線倒置，用于降低VDDQ電流，降低切換操作)等新技術(shù)。

　　這些技術(shù)能夠降低DDR4內(nèi)存在使用中的功耗。當然，作為新一代內(nèi)存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的電壓。目前DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。而隨著工藝進步、電壓降低以及聯(lián)合使用多種功耗控制技術(shù)的情況下，DDR4的功耗表現(xiàn)將是非常出色的。

　　人們對于DDR4的期望是相當高的，對于它的上市已經(jīng)等待已久，不過要知道DDR3花了足足三年的時間才完成對DDR2的取代，而DDR4的野心卻是大多了，雖然要到今年底才會正式登場亮相，但是明年就有打算要占據(jù)半壁江山，成為新的主流規(guī)格。接下來讓我們看一下近期關(guān)于各個廠商關(guān)于DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)發(fā)布情況。

　　支持下一代處理器 威剛DDR4內(nèi)存曝光

　　威剛近日正式宣布了自己的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，威剛首發(fā)的DDR4并不多，只有標準的服務(wù)器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，額定頻率也是2133MHz，電壓1.2，產(chǎn)品編號AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

　　不過威剛表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等類型也都正在研發(fā)之中，很快就會陸續(xù)推出。

　　這些內(nèi)存都是供服務(wù)器、工作站使用的，威剛也說他們一直在與Intel密切合作，其DDR4內(nèi)存完全支持下一代服務(wù)器平臺Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

　　至于消費級的DDR4內(nèi)存，誰也沒有任何消息，不過Intel將在第三季度推出首個支持DDR4的桌面發(fā)燒平臺Haswell-E，相信很快就會有新內(nèi)存跟上。

　　2400MHz DDR4試產(chǎn) 美光DDR4大規(guī)模開工

　　威剛早些時候正式宣布了他們的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內(nèi)存已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)，并在逐步提高產(chǎn)量。

　　美光表示，目前量產(chǎn)的是4Gb DDR4內(nèi)存顆粒，標準頻率為2133MHz，并特別與Intel合作，針對將在下半年發(fā)布的下一代服務(wù)器平臺Xeon E5-2600 v3進行了優(yōu)化。

　　新平臺架構(gòu)基于22nm Haswell-EP，將取代去年9月份發(fā)布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向雙路服務(wù)器領(lǐng)域。

　　目前已經(jīng)發(fā)布的DDR4內(nèi)存頻率都只有2133MHz，這其實是DDR3也可以輕松達到的高度，自然不能凸顯新內(nèi)存的優(yōu)勢。美光稱，2400MHz DDR4正在試產(chǎn)，預計2015年正式投產(chǎn)(也就是說今年別期望啥了)。

　　美光還透露，他們將陸續(xù)推出符合JEDEC DDR4標準的完整產(chǎn)品線，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各種規(guī)格，ECC也可選有無，到今年第三季度初的時候還會增加NVDIMM。